《意法将TSV技术引入MEMS芯片量产》PDF+DOC
作者:郑冬冬
单位:中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版:《》
页数:2页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDXX2012050370
DOC编号:DOCBDXX2012050379
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《ST采用硅通孔技术实现尺寸更小且更智能的MEMS芯片》PDF+DOC 郑冬冬
《意法半导体率先采用硅通孔技术,实现尺寸更小且更智能的MEMS芯片》PDF+DOC2011年第11期
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《基于MEMS的硅基PZT薄膜微力传感芯片》PDF+DOC2006年第03期 佟建华,刘梦伟,崔岩,王兢,崔天宏,王立鼎
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,张为华
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《隐藏界面:一个崭新的嵌入创新场所》PDF+DOC2012年第06期 Robert Cravotta
《国际新闻》PDF+DOC2010年第10期
意法半导体(ST)率先将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法,在尺寸更小的产品内实现更高的集成度和性能。硅通孔技术利用短垂直结构连接同一个封装内堆叠放置的多颗芯片,相较
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