作者： 单位：中国半导体行业协会 出版：《中国集成电路》2012年第08期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDI2012080030 DOC编号：DOCJCDI2012080039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 应用材料公司推出突破性刻蚀技术近日，应用材料公司推出了Applied Centura誖AvatarTM电介质刻蚀系统，提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维存储结构制造过程中所面临的最严峻的挑战，提供未来数据密集型移动终端所需的高密度万亿比特存储能力。Avatar系统经过全新设计，能够刻蚀三维NAND存储阵列标志性的高深宽比结构。这一新型闪存器件有多达64层的存储单元垂直重叠于其中，从而在极小区域内获得超高的比特密度。

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