作者：李丹丹,梁庭,姚宗,李赛男,熊继军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2015年第09期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2015090070 DOC编号：DOCBDTQ2015090079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过高温烧结技术得到了总体尺寸为15 mm&#215；15 mm&#215；0.6 mm的低温共烧陶瓷(LTCC)转接基板，并通过丝网印刷方式将转接焊盘的图形转移到经过高温烧结的LTCC转接基板上，形成金凸点和互连线图形；同时利用MEMS工艺中的刻蚀、氧化、金属蒸发和静电键合等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片，最后通过采用各向异性导电胶的装配方式将高温压力敏感芯片倒装焊接到氧化铝陶瓷基板上，对倒装封装的敏感芯片进行高温下的加压测试。高温压力测试结果表明，在220℃的高温环境下，0~600 kPa的测试压力范围内，传感器的输出电压-外部气压曲线呈现出良好的线性特征，线性范围大且迟滞性小，可望用于220℃恶劣环境下的压力测量。

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