作者：张子鹤,刘振华,陈勇,卢云 单位：中国科学院成都文献情报中心 出版：《》 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSJKF2011020320 DOC编号：DOCSJKF2011020329 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体高温压力传感器的静电键合技术》PDF+DOC2002年第02期 张生才,赵毅强,刘艳艳,姚素英,张为,曲宏伟 《半导体高温压力传感器的静电键合技术》PDF+DOC2002年第06期 赵毅强,张生才,姚素英,张为,曲宏伟,张维新 《基于SOI技术高温压力传感器的研制》PDF+DOC2014年第06期 陈勇,郭方方,白晓弘,卫亚明,程小莉,赵玉龙 《压力传感器芯片键合用低温玻璃焊料的研制》PDF+DOC2000年第01期 孙以材,沈今楷,姬荣琴,常志红 《压力传感器的芯片封装技术》PDF+DOC1998年第02期 孙以材,范兆书,常志宏,沈今楷,高振斌,杨瑞霞 《扩散硅压力传感器结构设计及封装工艺研究》PDF+DOC1996年第10期 刘沁,吕忠钢,陈艳文 《硅压力传感器的应力隔离封装》PDF+DOC1987年第Z1期 李东研,Per.A.Ohlckers,C.D.Fung,W.H.Ko 《通用型耐高温微型压力传感器封装工艺研究》PDF+DOC2005年第06期 王权,丁建宁,王文襄 《MEMS中的静电-热键合技术》PDF+DOC2005年第01期 王蔚,陈伟平,刘晓为,霍明学,王喜莲,鞠鑫,张颖 《高温压力传感器固态隔离封装技术的研究》PDF+DOC2002年第02期 张生才,姚素英,刘艳艳,赵毅强,张为

    • 针对MEMS压力传感器封装关键技术，从结构仿真和工艺参数等方面研究了一款压力传感器的硅玻静电键合问题，旨在减小封接对压力传感器芯片输出性能的影响。设计并制作键合装置，进而完成实验，最终优化键合温度，电压等参数值，验证最佳温度350℃，理想电压范围500～900 V。

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