作者：刘文娟,赵毅强,李雪民,赵国芬 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2014年第11期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2014110230 DOC编号：DOCCGQJ2014110239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于Global Foundry(GF)0.18μm标准CMOS工艺，设计了用于安全芯片的高性能温度监测传感器。该传感器利用PN结正向偏置电压与温度的近似线性关系监测环境温度变化，其集成度高、可靠性高、功耗低，并且能够在宽温度范围内正常工作。测试结果表明：在一定温度范围(-50~140℃)内，其温度系数为-4.47mV/℃，线性度良好；当电源电压为3.3V时，功耗仅为10.04μW，满足安全芯片的设计要求。

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