作者：王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2014年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2014040070 DOC编号：DOCBDTQ2014040079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 从传感器的受力结构、能量转化结构和金属引线三个方面对SOI压阻式压力传感器芯片进行高温设计，计算出每个因素所造成的影响并与外部气压对传感器造成的影响进行对比，并给出了压阻的工艺尺寸和掺杂浓度。通过工艺制备和封装，研制出耐高温压力传感器芯片，常温压力测试结果表明传感器敏感芯片在常温下灵敏度较高，非线性误差在0.1%以下，迟滞性小于0.5%。高温下的性能测试结果表明，传感器可以用于350℃恶劣环境条件下的压力测量，为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。

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