作者：王超,王龙,贾新亮,彭永达,陈玉辉,肖海鹏,李洁颖 单位：上海市电子学会;上海市通信学会 出版：《》 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJS2017110190 DOC编号：DOCDZJS2017110199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 文章设计了一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源。利用两级单端输出运算放大器给基准源提供偏置电压，使核心电路部分脱离电源电压的噪声影响，且在放大器的输出与尾电流管的栅极之间添加共源放大器构成调节型共源共栅反馈回路，提高放大器的低频增益，同时使放大器电源到输出的增益接近于1，从而达到高电源抑制比。基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺，采用Cadence软件的Spectre工具完成电路设计的仿真与调试。电源电压采用3.3V。仿真结果表明放大器低频增益达95d B，电源到输出的增益为0.958。温漂系数达10.33ppm/℃，电源抑制比达到-127d B@10Hz。该带隙基准电压源可应用于CMOS图像传感器。

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