《碳化硅压力传感器结构仿真及优化》PDF+DOC
作者:李帅,王建平
单位:中国电子学会
出版:《》
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFELEW2017220130
DOC编号:DOCELEW2017220139
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SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。
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