作者：李闯泽,韩本光,何杰,吴龙胜 单位：武汉大学 出版：《武汉大学学报(理学版)》2020年第03期 页数：11页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWHDY2020030130 DOC编号：DOCWHDY2020030139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为解决空间辐射环境引起的列并行单斜式模拟数字转换器(analog to digital converter，ADC)中斜坡信号范围不能动态校正的问题，提出一种用于CMOS(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器的高精度抗辐射自适应斜坡产生电路设计方法，并对该方法进行了理论分析和验证。仿真实验结果表明：通过dummy像元的设计可以实现输入到输出整个信号环路的闭环自适应负反馈调节；该斜坡产生电路能够在电离总剂量(total ionization dose，TID)效应影响情况下自动调整斜坡信号斜率，从而有效提高斜坡信号的精度。

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