作者:彭本贤,俞挺,于峰崎 单位:中国科学院深圳先进技术研究院;科学出版社 出版:《集成技术》2012年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFJCJI2012030030 DOC编号:DOCJCJI2012030039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《微电容超声传感器的设计与测试》PDF+DOC2015年第08期 穆林枫,张文栋,何常德,张睿,宋金龙,薛晨阳 《基于跨阻放大器的动态微弱电容检测电路》PDF+DOC2015年第01期 穆林枫,张文栋,何常德,薛晨阳 《电容式微机械超声传感器(CMUT)声场特性分析》PDF+DOC2016年第12期 王朝杰,王红亮,段培盛,陈一波,胡晓峰 《电容式微加工超声传感器(cMUT)的结构设计及仿真》PDF+DOC2005年第02期 宋光德,刘娟,栗大超 《基于CMOS图像传感器中DPGA的电容阵列优化研究》PDF+DOC2005年第02期 戴山小,姚素英,赵毅强,张为,李树荣,张生才,徐江涛 《基于CMOS图像传感器中DPGA的电容阵列优化研究》PDF+DOC2004年第12期 戴山小 ,姚素英 ,赵毅强 ,张为 ,李树荣 ,张生才 ,徐江涛 《电容式微加工超声传感器(cMUT)的有限元仿真》PDF+DOC2006年第05期 宋光德,官志坚,栗大超 《低噪声、低功耗微电容读出ASIC设计》PDF+DOC2014年第04期 任臣,杨拥军 《霍尔传感器读出电路的低噪声运算放大器设计》PDF+DOC 刘文楷,苏宁宁,戴澜 《新品快报》PDF+DOC
  • 本文提出了一种紧凑的可动浮栅型电容式超声传感器(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer,CMUT)器件结构和低噪声高频电路。该结构包含通常CMUT上下电极和MOS晶体管。建模对浮栅型CMUT器件进行了直流分析和时变电容的瞬态分析,模拟结果表明该传感器结构比传统CMUT具有更低的寄生电容和输出阻抗。在1.5Pa超声声压下进行Cadence和ANSYS仿真,输出信号为40.1mV,在1MHz等效输出噪声为16.59nV/Hz1/2,直流增益为74.73dB,单位增益带宽为488MHz。指标优于传统的CMUT结构,具有医学三维成像的应用前景。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。