《基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器》PDF+DOC
作者:郭智博,汪莱,郝智彪,罗毅
单位:中国真空学会
出版:《真空科学与技术学报》2012年第12期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFZKKX2012120070
DOC编号:DOCZKKX2012120079
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制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×;400μm,对常温下氢气浓度为2×;10-6至6216×;10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×;10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。
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