作者：黄卓磊,王玮冰,彭城,祖秋艳,陈大鹏 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2012年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2012050020 DOC编号：DOCMINI2012050029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 设计了一种应用于超低频率的低噪声MEMS传感器接口电路。该电路利用斩波技术降低1/f噪声，并利用MOS电容替代模拟无源元件等方法，使之与数字工艺相兼容。采用CSMCCMOS 0.5μm 2P3MCMOS工艺，实现了增益为36dB的读出电路。该电路的等效输入噪声功率谱密度为13μV/(Hz)~1/2，3阶交调失真为-33.6dB。电路的功耗为10mW。

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