作者：郭浩,唐军,张斌珍,刘俊,薛慧,丁宇凯 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2012年第10期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2012100060 DOC编号：DOCCGJS2012100069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 首先通过减小垒前阱的厚度消除了负阻区的“台阶区”，提高负阻区的阻值为-7.916Ω，并通过加压测试RTD(共振隧穿二极管)的力电耦合灵敏度，使其灵敏度由原来的5.5 mA/g增大到7 mA/g，优化了RTD作为MEMS传感器敏感单元的灵敏度，同时也通过增大RTD结构的台面积大小，有效的消除了负阻区的“台阶区”，并使其负阻区的阻值增大为-0.06Ω，提高了MEMS传感器敏感单元RTD结构的灵敏度。

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