作者:袁寿财,王紫玉,范小林 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2012年第04期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2012040060 DOC编号:DOCBDTG2012040069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 设计了一种简化的铝栅MOS半导体器件制作工艺流程,用6张掩模版成功制作出了基于表面电场效应原理的生物检测硅芯片传感器,采用SiO2-Si3N4复合栅介质层及耗尽型器件结构,以增强器件的识别与检测灵敏度。该传感器与常规铝栅MOS晶体管相比,去除了介质层表面的栅极导电层,代之以自组装技术制作生物薄膜并辅以栅参考电极作为控制栅极。用所制作的硅芯片传感器检测了相关生物蛋白质的电流响应,给出了该电流响应与器件沟道长度和沟道电阻及生物蛋白浓度等参数的关系,得到了较为满意的检测数据,达到了预期的基于表面电场效应的硅传感器制作和生物检测的目的。

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