作者：余成昇,展明浩,胡芳菲,李凌宇,何凯旋,许高斌 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2015年第07期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2015070070 DOC编号：DOCBDTQ2015070079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器，通过ANSYS仿真软件，得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下，该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键合的工艺加工方法，能够精确控制敏感薄膜及岛的厚度，并且全硅结构器件能够避免键合残余应力，大大提高器件性能。采用了双惠斯登电桥电路减小传感器输出的温漂效应，并设计了该电路的压敏电阻连接图。最后对该压力传感器进行了测试，结果表明，其非线性为0.64%，精度为0.74%，满足现代工业应用要求。

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