作者：孟秋敏,石磊,欧阳峥嵘,李洪强 单位：中国科技大学 出版：《低温物理学报》2012年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDWWL2012020110 DOC编号：DOCDWWL2012020119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象，研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.结果表明：Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内，磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高，77～300K温区内温度计受磁场的影响较小，其中在16T下，4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%；在4.2-77K温区，Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高，在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境。

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