作者：顾晓丽,刘一清,李中楠 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2012年第08期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2012080030 DOC编号：DOCBDTJ2012080039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺，具有开关功能的低压集成温度传感器。该温度传感器利用半导体pn结的电流电压与温度有关的特性，获取双极晶体管基极-发射极电压差值ΔVBE，采用仪表放大器进行后级放大。仪表放大器由两个采用折叠式共源共栅结构，带有PD开关信号的运算放大器作为反馈系统，放大倍数为7。用ADE工具，对整个电路在工作电压1.8 V、偏置电流20μA下进行仿真，得到其精度为1.58 mV/℃，再在不同工艺角下进行仿真验证。版图总面积为320μm&#215；280μm。该设计已经在一款数字视频芯片中得到实现，用于实时检测芯片温度。实际测试结果与模拟仿真结果基本相同。

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