作者：李新,刘野,刘沁,孙承松 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2012年第05期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2012050060 DOC编号：DOCYBJS2012050069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题，以SOI晶圆材料为基础，使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构，采用MEMS工艺完成传感器芯片制作，并对封装后的传感器进行了测试。测试结果表明，传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa，非线性小于0.1%FS，精度小于0.5%FS，器件具有较好的性能指标。

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