《葛根素分子印迹电化学传感器的制备及研究》PDF+DOC
作者:王琳,谭学才,龚琦,刘力,赵丹丹,雷福厚,黄在银
单位:北京有色金属研究总院;中国分析测试协会
出版:《分析试验室》2012年第06期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFFXSY2012060070
DOC编号:DOCFXSY2012060079
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以丙烯酰胺为功能单体,葛根素为模板分子,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,采用循环伏安法合成了葛根素分子印迹膜,并以此为识别元件制备了葛根素电化学传感器。该传感器对葛根素具有高度的选择性和良好的敏感度,葛根素氧化峰电流与其浓度在6.0×;10-8~1.6×;10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为2.0×;10-8mol/L。将此传感器用于葛根素注射液和木瓜葛根片中葛根素的含量测定,回收率为97.7%~106.4%。
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