作者：李娴,蒋亚东,太惠玲,谢光忠,张波 单位：中国电子学会 出版：《电子测量与仪器学报》2012年第12期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZIY2012120100 DOC编号：DOCDZIY2012120109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以n型高掺杂硅为衬底，二氧化硅(SiO2)作绝缘层，钛/金(Ti/Au)双层膜为源漏电极层，真空蒸发酞菁铜(CuPc)作敏感层，制备了沟道宽长比为4000/25的有机薄膜晶体管气体传感器(OTFTs)，研究了CuPc-OTFT气体传感器的基本电学特性及其在常温下对有毒还原型气体(H2S和NH3)的敏感性能。结果表明，基于CuPc的OTFT器件具有良好的电学特性，阈值电压为-8 V，载流子迁移率2.47&#215；10-4cm2/V.s，开关电流比5。基于CuPc薄膜的OTFT气体传感器对不同浓度的H2S和NH3均具有较好的响应，对SO2气体响应较小，对CH4和H2几乎不响应。通过CuPc薄膜的紫外-可见光光谱和OTFT器件的转移特性曲线对CuPc-OTFT气体传感器的敏感机理进行了分析。

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