作者：王艳春,黄庆安,聂萌,余辉洋 单位：中国微米纳米技术学会;天津大学 出版：《Nanotechnology and Precision Engineering》2012年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFNMJM2012050170 DOC编号：DOCNMJM2012050179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用CMOS标准工艺，同时采用三种典型MEMS后处理关键工艺，重点通过对牺牲层释放工艺进行研究，制作实现了一种新型CMOS兼容的电容式气压传感器.在该传感器结构中，作为牺牲层的是在CMOS工艺中形成的掺硼氧化硅.通过释放使电容上电极悬空从而感应气压变化.释放过程采用氢氟酸HF、氟化铵、甘油和水的混合溶液.由于释放孔大小和释放孔间距的设计十分关键，通过实验验证优化了4μm&#215；4μm的释放孔更适用于此传感器结构，并对此结构进行了性能分析与实验测试.结果表明，该气压传感器结构合理，工艺成功，重点解决了MEMS后处理中的牺牲层释放工艺与CMOS标准工艺的兼容问题，为利用CMOS标准工艺进行MEMS传感器的研制做出了有益的尝试。

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