作者：苗静,何常德,廉德钦,张慧,于佳琪,宛克敬,薛晨阳,张文栋 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2012年第12期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2012120050 DOC编号：DOCCGJS2012120059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对目前电容超声传感器多采用表面工艺制备，存在振膜应力大、厚度均匀性控制差且表面需要沉积分立电极而造成传感器灵敏度低、归一化位移小、频率易偏差的缺点，提出基于硅晶圆键合工艺的MEMS电容超声传感器。采用应力小、厚度均匀的SOI顶层硅作为敏感单元的一体化全振微传感薄膜，无需沉积分立电极，易于加工且频率偏差小。通过下电极的区域化定义及巧妙互联，避免了非活跃区的寄生电容。通过ANSYS及MATLAB对所设计的5种工作频率在124 kHz～484 kHz之间、满足水下成像需求的传感器结构进行性能分析，表明传感器的电容变化量为650.62 fF/Pa～10.827 fF/Pa，满足现有条件的信号检测，输出电压灵敏度可达1.700 mV/Pa。与同频率指标的传统基于牺牲工艺而制备的金属-氮化膜堆栈结构对比表明，本结构频率可预测性高，偏差仅为0.0535%；振膜变形更均匀，归一化位移提高0.0432%以上；灵敏度平均提高11.9249 dB。

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