《灰色理论的位移传感器标定不确定度评定》PDF+DOC
作者：宋小奇,何伟铭
单位：中国微米纳米技术学会;东南大学
出版：《传感技术学报》2012年第11期
页数：5页 （PDF与DOC格式可能不同）
PDF编号：PDFCGJS2012110100
DOC编号：DOCCGJS2012110109
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硅晶元等高精度平面度测量时，为提高测量可信性，对所用位移传感器标定已成为业界常规。本研究针对用于基于逐次两点法(STPM)测量硅平面的两电容式位移传感器2804/3890 J设计了一种压电陶瓷标定系统，实现其标定间隔达到8nm/1 mV，提高了标定的精确度。建立基于灰色理论的GM(0，2)系统数学模型，确立待标定传感器测量结果的回归模型，以得到传感器特性的最佳估计，并确定其联合不确定度，得到被标传感器的测量不确定度的最佳评估。与传统回归模型比较，得出GM(0，2)模型具有很好的精度，满足要求。通过STPM测量过程的模拟，得到用此传感器实施的STPM测量的测量精度约为56 nm(λ=20 nm)。
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