作者：吴少兵,陈实,李海,杨晓非 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2012090840 DOC编号：DOCWLXB2012090849 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 隧道结磁阻(TMR)传感器及巨磁阻(GMR)传感器的1/f噪声在低频段噪声功率密度较大，是影响其低频下分辨率和灵敏度的主要噪声形式.本文详细介绍了近年来TMR传感器及GMR传感器1/f噪声的特点、来源、理论模型、检测方法及降噪措施等方面的研究进展，并就隧道结磁阻传感器1/f噪声的物理模型进行了详细解释.通过纳米模拟软件Virtual NanoLab对不同MgO厚度的Fe/MgO/Fe型磁性隧道结(MTJ)进行了隧穿概率和TMR变化率的模拟计算，得到保守估计与乐观估计的TMR变化率，分别为98.1%与10324.55%，同时通过MTJ的噪声模型分析了MgO厚度对TMR传感器噪声的影响.制备了磁屏蔽系数大于10000的磁屏蔽筒并搭建了磁阻传感器1/f噪声的测试平台，通过测试验证了磁屏蔽系统对环境磁场具有较好的屏蔽效果，为噪声检测提供了稳定的磁场空间.最后分析了TMR与GMR中各种因素对传感器噪声的影响，提出了影响MTJ传感器1/f噪声的因素及一些降噪措施。

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