作者：孙权,姚素英,徐江涛,徐超,张冬苓 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2013年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2013060110 DOC编号：DOCCGJS2013060119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现》PDF+DOC2009年第02期 徐江涛,李斌桥,姚素英,任张强 《温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响》PDF+DOC2016年第03期 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧 《离子注入对图像传感器两种白色像素的影响》PDF+DOC2017年第08期 张武志 《新型CMOS图像传感器》PDF+DOC1998年第03期 岳云 《光电二极管有源像素CMOS图像传感器固定模式噪声分析》PDF+DOC2005年第04期 张生才,董博彦,徐江涛 《CMOS有源像素传感器光响应分析及实验模型建立》PDF+DOC2007年第02期 徐江涛,姚素英,朱天成 《大尺寸像素电荷转移的优化方法》PDF+DOC2013年第11期 张冬苓,姚素英,徐江涛,徐超,高志远,韩立镪 《大动态范围CMOS图像传感器像素单元的设计》PDF+DOC2008年第06期 高静,姚素英,徐江涛,孙烨辉,史再峰,曲鹏 《CMOS图像传感器研究》PDF+DOC2007年第09期 陈剑,杨银堂 《一种改善CMOS图像传感器性能的复位控制电路设计》PDF+DOC2013年第11期 晋孝峰,岳素格,刘丽艳,赵岳,王春芳

    • 在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上，着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容量的影响，建立了满阱容量的计算模型。将测试结果与模型公式进行拟合，可以预估像素的满阱容量，指导像素设计。为了提高四管像素的满阱容量，提出在钳位光电二极管与浮空节点之间增加P型注入层稳定阱容量的方法。增加P型注入层可以大幅减小积分时间内光电二极管中储存的光生电子向浮空节点方向的泄漏，从而有效稳定阱容量。测试结果表明，在多种工艺条件下，像素的满阱容量从基本可以忽略提升至十万个电子的量级。

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