《FeZrBNb单层膜的巨磁阻抗效应》PDF+DOC
作者:袁慧敏,王文静
单位:上海市电子学会;上海市通信学会
出版:《》
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZJS2013040080
DOC编号:DOCDZJS2013040089
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用高频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究了制备条件、制备工艺对薄膜样品巨磁阻抗效应的影响。结果表明,增大薄膜的厚度可以提高样品的阻抗比,13MHz下,厚度为10.8μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比为2.5%;在制备过程中加磁场可以在薄膜中感生出磁各向异性场,进而提高薄膜的阻抗比。同时,退火可以提高材料的软磁特性,增强薄膜的巨磁阻抗效应,对薄膜进行退火处理后,薄膜的纵向和横向阻抗比分别提高到1.7%和1.5%。
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