作者:袁慧敏,王文静 单位:上海市电子学会;上海市通信学会 出版:《》 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZJS2013040080 DOC编号:DOCDZJS2013040089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《脉冲激光沉积Pd/Ag膜的工艺研究》PDF+DOC2015年第01期 胡畔,童杏林,胡巍,蔡婷,郭倩,王坤,赵敏利 《YSZ薄膜的制备及应用》PDF+DOC2000年第04期 潘礼庆,王岭,孙加林,洪彦若 《薄膜应变栅称重传感器的研制》PDF+DOC1998年第05期 于映,陈跃,陈抗生 《微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程》PDF+DOC1996年第07期 余晋岳,宋柏泉,周勇,蔡炳初 《用辐射计测定透明薄膜全发射率的研究》PDF+DOC1993年第02期 何梓年,任曼蕴 《薄膜压力传感器研究》PDF+DOC1989年第06期 王志新,赵阳 《镍钴薄膜磁敏传感器的研究》PDF+DOC2002年第01期 方培生 ,方国宏 《高灵敏复合光波导传感器及其研究进展》PDF+DOC2008年第02期 海日沙·阿不来提,麦麦提依明·马合木提,阿布力孜·伊米提 《退火处理对Ti-WO_3薄膜的结构和气敏特性的影响》PDF+DOC2008年第08期 张召涛,杨晓红,马勇,孙彩芹,闫勇彦,朱绍平 《Ti-Ni形状记忆合金薄膜的研究进展》PDF+DOC2015年第06期 刘琳,贺志荣,周超,李旭东
  • 用高频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究了制备条件、制备工艺对薄膜样品巨磁阻抗效应的影响。结果表明,增大薄膜的厚度可以提高样品的阻抗比,13MHz下,厚度为10.8μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比为2.5%;在制备过程中加磁场可以在薄膜中感生出磁各向异性场,进而提高薄膜的阻抗比。同时,退火可以提高材料的软磁特性,增强薄膜的巨磁阻抗效应,对薄膜进行退火处理后,薄膜的纵向和横向阻抗比分别提高到1.7%和1.5%。

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