作者：韩秀峰,刘厚方,张佳,师大伟,刘东屏,丰家峰,魏红祥,王守国,詹文山 单位：中国材料研究学会 出版：《中国材料进展》2013年第06期 页数：15页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXJKB2013060040 DOC编号：DOCXJKB2013060049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 典型的磁性隧道结是“三明治”结构，即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时，隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来，非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用，2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展，迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现：由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应，单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%，随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值，2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化，共振隧穿和自旋依.....。

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