作者：毋正伟,彭春荣,杨鹏飞,闻小龙,李冰,夏善红 单位：中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部 出版：《电子与信息学报》2015年第09期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZYX2015090380 DOC编号：DOCDZYX2015090389 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了降低传感器的驱动电压，提高该器件的品质因数和信噪比，该文研究封装材料和工艺对真空封装性能的影响，针对一种微机电系统(MEMS)谐振式微型电场敏感结构芯片，采用独特的共晶键合技术，实现该传感器的芯片级真空封装。实验结果表明，该传感器封装后的品质因数达到了30727.4，是常压封装的500倍；该封装器件具有更低的驱动电压，只需要直流分量100 m V和交流分量60 m Vp-p，与常压测试时相比，分别只有原来的1/200和1/16。

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