作者：李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2015年第09期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2015090090 DOC编号：DOCCGJS2015090099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《MEMS高温压力传感器研究与进展》PDF+DOC2009年第11期 张冬至,胡国清,陈昌伟 《一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真》PDF+DOC2020年第02期 王尊敬,李闯,涂孝军,路翼畅 《一种新型单晶硅SOI高温压力传感器》PDF+DOC2002年第04期 李育刚,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 《MEMS耐高温压力传感器封装工艺研究》PDF+DOC2008年第02期 何潜,赵玉龙,赵立波,陈晓南,蒋庄德 《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC2006年第04期 张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英 《一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器》PDF+DOC2015年第04期 何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 《耐高温动态压力传感器与实验分析研究》PDF+DOC2017年第02期 热合曼·艾比布力,王鸿雁,薛方正,黄琳雅,皇咪咪,于明智,赵立波 《基于SOI技术高温压力传感器的研制》PDF+DOC2014年第06期 陈勇,郭方方,白晓弘,卫亚明,程小莉,赵玉龙

    • 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散，刻蚀，氧化，金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片，并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔，最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试，高温压力测试结果表明，在21℃(常温)至300℃的温度范围内，传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作，传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865，控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明，该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量，其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。

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