《军转民技术》PDF+DOC

一、高性能氮化镓基电子材料【技术开发单位】中国科学院半导体研究所【技术简介】采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，在蓝宝石或碳化硅衬底上外延高性能氮化镓(GaN)基电子材料。【技术特点】采用本技术制备GaN基电子材料，生长速度快，产量高，质量、重复性和均匀性好。利用制备材料已研制出国内第一

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