作者：黄钊洪 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2001年第09期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2001090030 DOC编号：DOCBDTJ2001090039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 把锑化铟－铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中，用红光脉冲照射，可以使它的输出信号增强。把灵敏度为 Ｋ１－３ ５，Ｋ２＝１．０ ２（Ｂ＝０．３ Ｔ）的两个磁阻元件，置于 Ｂ＝０．２Ｔ偏磁系统中，用峰值波长λｐ＝６６０ｎｍ的红光照射，发现输出电压Ｖｏｕｔ比没有偏磁场存在时增大３．１倍。

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