作者：岳云 单位：电子工业出版社;美国国际数据集团 出版：《今日电子》2001年第10期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJR2001100070 DOC编号：DOCDZJR2001100079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • C~3D(CMOS Color Captive Device)是新一代半导体成像技术，它不仅提高了像素设计技术，也改进了生产工艺。采用这种技术生产的0.25μm CMOS图像传感器能够在不牺牲性能的前提下增加晶体管的数量和占空因数(Fill Factor)。除了增加像素设计的选择方案之外，还可实现更为复杂的功能和更低的功耗，并且在速度方面也很有优势。

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