作者：张家洪,陈福深,孙豹 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2014年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2014060110 DOC编号：DOCBDTG2014060119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出一种用于强电场测量的集成光波导电场传感器天线电极设计方案。给出了传感器等效电路，计算分析了天线、电极的各个参数对传感器半波电场的影响。结果表明：当传感器电极长度、天线长度由4mm减少到0.5mm时，传感器半波电场由230kV/m分别增加到2 400kV/m和1 100kV/m，提高了943.5%和378.3%；当电极间距、电极宽度由20μm增加到200μm时，传感器半波电场由400kV/m分别增加为2 300kV/m和730kV/m，提高了475.0%和82.5%；当天线底部宽度由50μm增加到600μm时，传感器半波电场由460kV/m减小到242kV/m，减小了47.4%。因此，合理设计传感器电极、天线尺寸可使其半波电场达到几百kV/m至几千kV/m，使它能够应用于强电场测量领域。

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