《集成MOS力敏运放压力传感器》PDF+DOC
作者:岳瑞峰,刘理天,李志坚
单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会
出版:《Journal of Semiconductors》2001年第04期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTX2001040220
DOC编号:DOCBDTX2001040229
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设计并制作出一种新型集成压力传感器——集成 MOS力敏运放压力传感器 .它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在 N型 (10 0 ) Si膜片上的最大应力区 ,并使它们的沟道方向相互垂直 ,运放中其它元件全部集中设置在厚体硅上的低应力区 .在压力作用下 ,输入级 MOS管沟道中载流子迁移率发生变化 ,运算放大器以其为输入信号而产生力敏输出 .这种压力传感器具有很高的压力响应灵敏度 ,可望在诸多领域有广泛应用 。
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