作者：黄宜平,竺士炀,李爱珍,鲍敏杭,沈绍群,王瑾,吴东平 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2001年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2001070210 DOC编号：DOCBDTX2001070219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ，提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ，并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ，当温度增加到 15 0℃左右时 ，输出电压没有明显的变化 ，其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa&#183； 5 V) ，比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 7倍多

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