作者：张正元,徐世六,温志渝,张正璠,黄尚廉 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2001年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2001020060 DOC编号：DOCMINI2001020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用各向异性腐蚀与各向同性腐蚀相结合的技术和特殊的硅 -硅键合技术 ，成功地研制出了一种新型真空微电子压力传感器。测试分析结果表明 ，该传感器反向击穿电压达到 1 0 0 V；在加 3V正向电压时 ，其单个锥尖发射电流为 0 .2 n A；在 2 5～ 1 0 0 g的压力范围内与输出电压呈线性关系 ，灵敏度为 0 .1μA/g

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