作者：朱作云,李跃进,杨银堂,柴常春,贾护军,韩小亮,王文襄,刘秀娥,王麦广 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2001年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2001020000 DOC编号：DOCCGQJ2001020009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ，并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。

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