作者: 单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版:《光机电信息》2002年第11期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGJDX2002110160 DOC编号:DOCGJDX2002110169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 新型发光二极管 Osram Opto Semiconductors公司目前正致力于开发一种用于室内照明的发光二极管(LED),并在AlGaInP的发光功效方面取得了突破性进展。众所周知,该类LED的衬底吸收部分发光,因此该公司的研究人员利用薄膜技术开发出一种“无衬底”设计,采用该设计可将LED的光效提高1倍。 基于四元材料AlGaInP并掺GaAs而制备的超亮LED的光谱范围从黄绿到红色,覆盖了半个可见光区。自1992年问世以来,人们不断改进其工艺技术以提高光效,如外延技术和加工方面取得的进步与芯片和封装工艺的创新设计相结合提高了LED的光效。该公司现已开发出一种新的表面结构的LED,其光效在橙色和红色光谱区达

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