《硅钨酸-丁氯喘ISFET的研制与应用》PDF+DOC
作者:刘亚强,李先文,黄西潮,黄强
单位:武汉大学;北京大学;南京大学
出版:《分析科学学报》2001年第01期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFFXKX2001010140
DOC编号:DOCFXKX2001010149
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《硅钨酸修饰ISFET的研究》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄强
《药物敏感场效应晶体管测定丁氯喘片剂含量》PDF+DOC1998年第06期 李先文,黄西潮,黄强
《一次性丁氯喘半导体传感器的研究》PDF+DOC1997年第04期 黄西潮,李先文,黄强,黄战龙
《小檗碱敏感场效应晶体管的研制与应用》PDF+DOC 李先文,黄强
《基于壳聚糖膜的ISFET麻黄碱传感器的研究》PDF+DOC2003年第03期 李先文,杨伯伦
《基于ISFET的克咳敏传感器的研究》PDF+DOC2002年第03期 罗文谦,李先文
《硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄战龙,黄强
《利多卡因FETS的研制与应用》PDF+DOC1998年第03期 李先文,黄强,呼世斌
《壳聚糖在化学传感器中的应用》PDF+DOC2003年第02期 李先文,田文辉,吴海莲,杨伯伦
《扑尔敏ISFET化学传感器的研制与应用》PDF+DOC 刘亚强,李先文,黄强
以硅钨酸为活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成的 5%聚氯乙烯四氢呋喃溶液 ,涂在离子敏感场效应晶体管 ( ISFET)的栅极上 ,形成对药物敏感的场效应晶体管 ( Drug FET)。由该 Drug FET制成的化学传感器对盐酸丁氯喘的线性响应范围为 1 .0 0×; 1 0 - 5~ 1 .50×; 1 0 - 1mo L/L,斜率为 60 m V/Δpc,适宜的 p H范围为 4.5~8.2 ,检测下限为 8.50×; 1 0 - 6 mo L/L。用该传感器分析了丁氯喘片剂的含量 ,和分光光度法测定的结果相一致
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。