作者：牛新书,刘艳丽,胡平,徐甲强 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2002年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2002010030 DOC编号：DOCDZAL2002010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用化学共沉淀法制得不同掺杂量的SnO2-WO3粉体，探讨了掺杂量、热处理温度、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现：SnO2的添加抑制了WO3晶粒的生长，提高了其气体灵敏度。其中以0.5%(质量分数)的掺杂量为最佳，可进行H2S气体的选择性检测。

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