作者： 单位：中国国际贸易促进委员会 出版：《世界产品与技术》2002年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSJCS2002040000 DOC编号：DOCSJCS2002040009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 英特尔公司的研究人员宣布制造出全球最小的SRAM(StaticRandomAccessMemory——静态随机存储芯片)存储芯片单元，尺寸仅为1平方微米。这些单元是存储芯片的基本模块，它们是使用英特尔下一代0.09微米工艺制造的全功能SRAM设备的一部分。 英特尔研究人员制造出的52Mb存储芯片(能够存储5200万独立比特的信息)，在仅为109平方毫米的芯

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