作者：刘艳艳,姚素英,张生才,张维新,毛赣如,曲宏伟 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2001年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2001050040 DOC编号：DOCBDTJ2001050049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了决定多晶硅压力传感器性能的两项关键技术：各向异性腐蚀硅杯和温度自补偿。通过研 究四甲基氢氧化铵（ＴＭＡＨ）腐蚀液特性，及在不同腐蚀条件下硅杯表面状况，确定了制作高质量硅杯的工艺 条件。通过优化掺杂浓度，改善了传感器的温度特性，基本上实现自补偿。测试结果表明，多晶硅压力传感器 综合精度达０．ｌ％～０．２％ＦＳ，灵敏度温度系数绝对值小于３ &#215； １０－４／℃，有广阔的应用前景。

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