作者：何洪涛,杜少博,王伟忠 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2015年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2015050050 DOC编号：DOCBDTQ2015050059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出一种使用MEMS双层掩膜完成自对准刻蚀的工艺方法，藉此实现了在深腔结构内部对高深宽比硅压力传感器结构的精细加工。该工艺通过两次连续的平面内光刻工艺，使制作在衬底上的薄膜材料如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)及光刻胶等形成复合图形，每层图形化后的掩膜可以进行不同功能区的衬底刻蚀，刻蚀完毕后再去除对应的掩膜。通过多层掩膜组合使用完成深腔内复杂结构的高精度加工。这种工艺方法解决了在深腔内部进行涂胶和光刻的技术难题，对准和光刻工艺都在同一平面内完成，提高了加工精度，解决了深腔内部带有岛结构的多层复杂结构压力传感器加工的技术瓶颈。在此工艺基础上设计加工的岛膜结构100 kPa绝对压力传感器芯片具有线性度好、灵敏度高的特点，样机经测试满量程内灵敏度达到了0.514 mV/(V&#183；kPa)，线性度达到0.12%，重复性达到0.04%。

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