作者：茅昕辉,禹金强,周勇,吴茂松,蔡炳初 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》2002年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX2002060070 DOC编号：DOCZKKX2002060079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ，GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ，SI)效应 ，利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ，对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ，对于两种效应 ，经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 ，而多层膜中的应力阻抗效应将为新型高灵敏传感器的设计和研制开辟一条崭新的途径

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