作者：李忻,车录锋,王跃林 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2002年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2002040120 DOC编号：DOCGNCQ2002040129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法，利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术，得到了厚度4μm左右的平整的Si(P++)/Si3N4复合薄膜。由于内应力引起的挠度在几百纳米数量级，为制作压力传感器奠定了有用的工艺基础。

    📙 相关资料

    1. 《微型电容式压力传感器硅基薄膜的设计与制备》PDF+DOC 获得均匀、平整的硅基薄膜是制备出高灵敏度的微型电容式压力传感器的关键步骤.首先在理论分析的基础上，确定了微型电容式压力传感器的基本参数，而后在制备中，发展了一种新型的硅基薄膜制作方法，即利用硅-玻璃键合工艺，结合浓KOH溶液超声腐蚀与化学机械抛光的方法，得到了厚度为10μm的均匀、平整的硅基薄膜，为......
    2. 《工业变送器用75系列扩散硅压力传感器》PDF+DOC 介绍了工业变送器用 75系列扩散硅压力传感器。其整体结构为全固态结构 ；其硅膜片结构分别为C型、E型和EI型三种形式 ；测量范围为 0 6kPa～ 5 0MPa；使用温区为 - 3...
    3. 《硅压力传感器的过载保护设计》PDF+DOC 通过测量硅膜片的结构设计和压力传感器外界保护结构设计，实现了压力传感器过载保护的目的。针对差压传感器表现为正负双腔和中心过载保护膜片联动保护的设计方案，即当过载压力达到超高差压之前，使高压侧膜片和基体贴合，低压侧膜片鼓出，阻止超高差压传入传感器内；对于表压和绝压传感器表现为测量端和过载保护膜片联动的......
    4. 《纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性》PDF+DOC 给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器，采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜，基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构，实现对外加压力的检测.实验结果表明，当硅膜厚度75μm时，纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供......
    5. 《半导体压力传感器研制现状与开发动向》PDF+DOC 随着IC制造技术的迅速发展，硅膜片式压力传感器及其集成化压力传感器受到青睐，对其开发研制相当盛行。本文以应用压阻效应原理的硅膜片式压力传感器为中心阐述半导体压力传感器的最近研制现状与开发动向。...
    6. 《压力变送器、压力传感器差异性研究及注意事项探讨》PDF+DOC 文章介绍了压力变送器、压力传感器的差异性研究及注意事项。...
    7. 《石墨烯谐振式压力传感器敏感结构研究》PDF+DOC 参考硅谐振式压力传感器设计了一种以石墨烯材料为梁的谐振子，对谐振子进行了理论分析及有限元仿真，揭示了其工作机理，探究了谐振子的结构参数对灵敏度的影响规律.仿真结果表明，灵敏度随着硅膜厚度、梁长度的增加而降低，随凹槽边长、深度的增加而提高；并进一步介绍了石墨烯的制备、转移及吸附与石墨烯的高精度剪裁等谐......
    8. 《硅各向异性腐蚀技术》PDF+DOC 论述了硅各向异性腐蚀技术在国内外的水平和友展趋势，攻关成果的推广应用前景。...
    9. 《新型力平衡微机械真空传感器研究》PDF+DOC 力平衡微机械真空传感器采用 ｐ＋＋硅自停止腐蚀技术和硅／玻璃键合技术制作，为了保持参考腔处在高真空状态，使用非蒸散吸气剂来吸附参考腔中的残余气体。研制了两种结构新型力平衡真空传感器，结果表明，采用力平衡模式工作可以扩展传感器的动态范围，灵敏度高。对力平衡电压与真空度的关系进行了研究，理论值与实测值符......
    10. 《不稳定液位的检测》PDF+DOC 对液位测量现有方案作了阐述及其优缺点比较，针对现有液位测量方法不能较好地测量不稳定液位的问题，提出了利用CYG13固态压阻式压力传感器进行不稳定液位测量的方法，并对其进行了验证，实验结果表明方案有效。...

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。