作者：方佼,於广军,闻永祥,李晓伟,陈雪平 单位：中国半导体行业协会 出版：《中国集成电路》2016年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDI2016060150 DOC编号：DOCJCDI2016060159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到最佳工艺条件，负胶形貌为倒梯形，等效倒角约69&#176；。曝光量主要影响曝光区域链式反应的充分度；PEB温度和PEB时间主要影响链式反应后收缩应力的释放程度。优化后的工艺成功运用在MEMS磁传感器barber电极的制作中，平面和斜面barber电极无脱落异常。

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