《基于无源RFID的集成加速度传感器设计》PDF+DOC
作者:刘茂旭,何怡刚,邓芳明,陈欢,李得民
单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)
出版:《固体电子学研究与进展》2015年第03期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGTDZ2015030160
DOC编号:DOCGTDZ2015030169
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针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.35μm CMOS工艺设计并制造了一种集成加速度传感器。加速度传感器单元利用基于深反应离子干法刻蚀的体硅正面加工工艺,在经过标准IC工艺之后进行两步干法刻蚀,工艺简单。集成接口电路采用了一种内部限幅的环形振荡器电路,将加速度传感器电容值转换为频率信号,并由计数器完成数字信号输出转换。后期测试结果显示,所设计的集成加速度传感器获得了良好的线性度和稳定性能,仅占用0.23mm2芯片面积,1.2V电源电压下消耗了1.4μW功率,尤其适合于无源RFID传感器标签设计中。
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