作者：钟德刚,徐静平,黎沛涛,于军 单位：华中科技大学 出版：《华中科技大学学报(自然科学版)》2002年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHZLG2002030290 DOC编号：DOCHZLG2002030299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ，通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ，建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ，响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ，得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 。

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