作者: 单位:工业和信息化部电子第五研究所 出版:《电子产品可靠性与环境试验》2015年第01期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZKH2015010220 DOC编号:DOCDZKH2015010229 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 据报道,美国北卡罗莱纳州立大学最近宣布,其最新的研究进展为多功能自旋电子智能传感器在军事上的应用和下一代自旋电子器件的使用铺平了道路。二氧化钒(VO2)可以将更智能的传感器集成到硅芯片上,并可利用激光来使该材料具备磁性。目前VO2被用于制造红外线传感器。通过将VO2作为单晶集成到硅基片上,研究人员有可能制造红外线智能传感器,其中传感器和计算功能被嵌在一个芯片上。据称,这使得传感器更快、更节

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。