《基于In_2O_3膜HSGFET型功函数O_3传感器的研究》PDF+DOC
作者:牛文成,俞梅,周雅光,张福海,李华伟,贾云芳,那兴波,罗伟栋
单位:南开大学
出版:《南开大学学报(自然科学版)》2002年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFNKDZ2002020040
DOC编号:DOCNKDZ2002020049
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本文以 In2 O3 及其混合物为敏感材料 ,采用悬浮栅结构和功函数方法 ,研究出可在室温下工作的 HSGFET型功函数 O3 传感器 ,并给出传感器对 O3 响应曲线以及实验结果的理论分析等
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